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工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能，伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小，介电质绝缘层厚度随之变薄，可靠性窗......
基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理......
随着便携式电子设备的不断普及,人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前,Flash仍是非......
通过硅（Si^＋）离子注入使硅纳米晶体存在于SiO2层中充当离散浮栅，制造出纳米晶体浮栅存储器件，测试器件的阈值电压变化（△Vth）、耐擦写能力......
金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性，因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制......
利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻......
