T型栅相关论文
毫米波AlGaN/GaN HEMT的应用进程中,器件的频率特性是至关重要的。其中,器件的电流增益截止频率fT和最高振荡频率fmax更是标志高频......
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectT......
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的......
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶（CAR）以及分辨率......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
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介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上......
期刊
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件......
采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作......
基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化......
在微波毫米波应用中,提高AlGaN/GaN HEMT器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax是研究工作中的重中之重,而提升器件频率特性最简单有......
InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有电子迁移率高、噪声低、功耗低及增益高等特点，是毫米波段最具竞争力的半导体器件之一，在高速、高......
学位
