栅隧穿电流相关论文
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧......
对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器......