横向外延生长相关论文
缓冲层阶段由于晶界的存在,特别是晶界密度高时,生长过程中引入的张应力会限制CaN层的生长厚度,AlN种子层后原位生长SiN作为掩摸层......
GaN基Ⅲ族氮化物由于其在从紫外到可见光波段高效光电器件制作中的成功应用而成为半导体材料研究领域的主要前沿课题之一。本文利......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长......
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩......
报告了氢化物气相外延技术中，在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氛的存在会显著改进材料......
期刊
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)......
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率......
报告了氢化物气相外延技术中 ,在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氢的存在会显著改进材......
