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氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬......
目的：本实验应用氟离子注入技术，综合评价氟离子注入纯钛前后表面体征以及氟离子注入前后纯钛材料对成骨细胞和牙龈卟啉单胞菌相互作......
目的：探讨氟离子注入钛表面改性种植体和纯钛种植体应用于即刻种植后的骨结合方面有无差异。为氟离子注入钛表面改性技术的进一步研......
学位
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,以其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等特点成为研究的热点,尤其是在高温、大......
采用等离子体氟离子注入,对TiAlNb合金基体进行了表面氟化处理,研究了不同注入剂量的试样在800℃和900℃下的高温氧化动力学行为。......
