反向漏电相关论文
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
作为整流电路、限幅电路等的核心器件,大功率氮化镓肖特基二极管(GaN based Schottky Barrier Diode,SBD)近年来得到了广泛关注。......
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老......
高压硅堆在使用过程中要求反向漏电尽可能小,我公司经过大量分析研究,找到了影响漏电的关键因素,制作高压硅堆的原材料硅片和扩散......
多晶硅太阳电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等方面控制不佳，导致晶体缺陷形成。本文通过研究“黑丝”电池片以及......
研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比（HF:NH4F）为1:7的BOE溶液对Al Ga N/Ga N异......
热压键合是垂直结构LED制备的关键工艺步骤,通过TEM,PL,Raman等测试手段,探讨热压键合造成的应力损伤、GaN材料缺陷、LED内量子效......
