氧化物半导体材料相关论文
氧化物半导体材料在光电传感、电催化和信息通信等诸多领域有着广泛的应用,日益增长的需求对材料的光学和催化性能提出了挑战,氧化......
本文利用射频等离子体辅助分子束外延设备，开发了硅衬底上金属Be膜的沉积及原位氧化界面控制技术，通过系统研究温度对Be原子在Si(111......
近年来，半导体光催化技术由于其成本低，清洁安全，无二次污染等优点，受到全世界的广泛关注。光催化技术涉及复杂的热力学和动力学反......
ZnO作为一种重要的金属氧化物半导体材料,在光电、压电、气敏等方面的性能和应用研究,受到了相关领域研究人员的广泛关注,特别......
SnO2,一种具有宽带隙(3.62 eV)的n型半导体,由于其优良的化学稳定性,较高的电子迁移率,低成本和环境友好,被认为是一种极具潜......
铟镓锌氧化物(IGZO)是一种优良的可用于制作薄膜晶体管(TFT)的氧化物半导体材料,可用于制作大屏幕OLED的像素驱动电路.本论文利用S......
在用氧化物半导体材料（ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ〈，２〉）制备的透明导电膜中主要缺陷是晶粒的间界和晶粒内的电离杂质和缺陷，在高质量的透明导电膜中，由于大的......
日盲紫外探测器，由于其强抗干扰特性，在近地通讯、电网检测和火灾监控等领域有广泛应用前景。在实际信号探测过程中，日盲紫外信号在传......
ZnO是一种新型宽禁带n型半导体材料，具有直接带隙能带结构（室温下Eg=3.37eV），对应于近紫外光波段。同时，ZnO还就有较高激子束缚能（室温下......
氧化锌是一种重要的金属氧化物半导体材料，具有较大的禁带宽度，在光催化方面具有潜在的应用价值。本文通过简单温和的水溶液法在......
