直接带隙相关论文
在化学元素发现史上，镓是第一个先根据元素周期律预言，后在实验中被发现证实的化学元素。镓在地壳中的含量仅为0.0015%，镓的熔点很低（2......
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计......
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
几乎所有的电子设备都要依靠硅，但是硅却使电子工业的发展陷入了瓶颈。硅会被淘汰么？也许不会，因为改头换面的“新硅”能够挽救这一老......
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关......
随着集成电路产业的发展,研制高性能Si基光电集成电路对于解决集成电路发展的瓶颈问题尤为重要。而锗（Ge）材料由于其直接带与间接带......
具有非中心对称(NCS)结构的二维材料展现出独特的光电特性,诸如压电性能、铁电性能、非线性光学和热电性能,这些性质具有重要的应......
利用超声震荡在有机溶剂中制备了薄层的二硫化钼(MoS2)二维层状材料,使用振动样品磁强计测量了其磁性,分析了其弱的铁磁性的来源。......
GaN是优越的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅲ-Ⅴ族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广......
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能(60meV)、......
单层的MoS2作为一种新型半导体材料,在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。本文对单层......
β-FeSi2作为直接带隙半导体,具有较大的光吸收系数和较高的理论光(热)电转换效率,是一种理想的光(热)电材料。首先综述了目前β-F......
未来信息技术发展的必由之路是实现微电子技术和光子学技术的融合,而目前世界上90%以上的电子器件和电路都是以硅为基础的,技术的......
学位
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应......
光电器件是当代光电信息系统的核心,器件性能的优劣是决定光电系统能否高效、快速和准确地进行信息处理的关键因素之一。以不同的......
目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si（100）基片......
黑磷拥有直接带隙的特性，填补了二维材料的空白，成为备受关注的新型二维材料。其良好地光吸收效率，结合它本身的高载流子迁移率，使得黑......
本文从理论和实验两个方面对于立方氮化硼(Cubic Boron Nitride,cBN)的半导体特性进行了研究。利用第一性原理的GGA方法(梯度校正......
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质：它具有0．80ev～0．89ev的直接带隙，对于红外波长有很高的吸收率；它掺入不同杂......
自1947年贝尔实验室成功发明第一只锗晶体管以来,半导体材料已经历了前后三代的发展历程。在太阳能电池材料领域中,目前还存在能带......
二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS2)是一种低维度宽带隙的半导体材料。单层的MoS2具有直接带隙(1.8ev)结构,适于构筑具有低静态功耗......
近年来，Ⅲ－V族氮化物宽禁带材料由于其在光电器件方面的应用而受到了国际学术界的广泛重视，已成为材料学科和微结构器件领域的研究热......
氮化铝（AlN）是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特殊的物理性能，因此，在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前......
具有特定功能的半导体材料的计算设计,是计算材料科学的一个重要研究领域.由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其......
