化合物半导体材料相关论文
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构......
本论文中采用一不吸光的透明粘接层来黏接一具吸光GaAs基板的AlGaInP LED与一透明基板Sapphire,接着将吸光的GaAs基板除去,来形成......
本文详细研究了快速扫描光荧光谱(PL Mapping)在表征砷化镓(AgAs)和氮化镓(GaN)材料中的应用,实验结果表明材料晶片的PL Mapping特......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
ZnO是一种宽带隙(3.3eV)的化合物半导体材料，具有原料丰富、价格便宜、无毒，易于实现掺杂，且其沉积温度相对较低和在等离子体环境......
会议
科锐成立于1987年，是美国上市公司(1993年，纳斯达克：CREE)，为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率......
GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的......
Zn源是用于化合物半导体材料的掺杂剂中的一种,本文研究掺杂用DMZn和DEZn的混合气配制方法.为防止液化必须限定混合气的总压.......
该文对化合物半导体材料特性，生长速率、沉积反应、液-固平衡、气固平衡和掺杂行为等进行了动力学，热力学和模式识别以及人工神经网......
近年来化合物半导体材料GaAs、InP等在光电子学领域的应用研究已经取得了很大进展。采用这些材料所研制的光导开关、光电导探测器......
在Ⅲ—V族化合物半导体材料光荧光（PL）测试中，有时会观测不到光荧光信号。该文介绍了PL6120光荧光测试系统和测试原理；归纳、分析和讨......
纳米半导体和金属材料具有许多传统材料无法比拟的新颖性质和功能，已在各行各业中展现出广阔的应用前景。特别是采用新型工艺制备的......
AlN是一种性能优异的压电、介电材料，具有纤锌矿结构，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。氮化铝具有高硬度，高抗击穿场强(14MV/cm)、高热......
量子阱混杂(QWI)是通过一定的技术手段，促使量子阱和量子垒之间的不同原子相互扩散，改变量子阱区的材料组分从而改变量子阱的各类特......
砷化镓(Gallium Arsenide，GaAs)作为第二代化合物半导体材料，拥有直接宽带隙双能谷的能带结构特性，并且凭借其优越的光电特性在光电子......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，禁带宽度为3.37 ev，室温下激子束能为60 meV，是制作短波长激光器以及紫外探测器的理想材料。......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新......
上海科锐光电发展有限公司是美国上市公司CREE(科锐)的全资子公司.CREE公司成立于1987年,1989年推出世界首款蓝光LED(发光二极管),......
机械工业部重庆仪表材料研究所是机械工业部直属一类研究所,是全国唯一专门从事仪表功能材料共性基础技术研究的综合性科研机构。......
中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收，不利于阵列规模提高及同质......
半导体、芯片设计和软件的进步以及快速有效地把革新思想送到市场的经营之道将构建信息时代。毫无疑问，未来还依然需要半导体。若干......
硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件，如调制器、光放大器和发光二极管等。人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比，其发光......
２１世纪的产业革命──发光二极管一鸣惊人最近一二年内，科学家们在开发新的高亮度发光二极管元件上有着相当显著而重大的突破，颜色从红......
化合物半导体材料的现状ＩｎＰ、ＧａＡｓ等单晶材料是继硅（ｓｉ）、锗（Ｇｅ）之后的重要的化合物半导体材料，它们既可以用来制造光电子器件，也可以用来制备微电子......
Cu（In，Ga）Se2（CIGS）是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有黄铜矿晶体结构，以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特......
<正> MO源是“金属有机化学气相沉积(即MOCVD)”技术的支撑材料,它是元素周期表中Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族的高纯金属有机化合物,目前国际水......
据媒体报道，国内最大的砷化镓材料生产基地——中科晶电信息材料（北京）有限公司量产揭幕仪式近日在京举行。这标志着我国砷化镓材料生......
瑞萨电子（RenesasElectronics）日前宣布将抛弃微波（microwave）器件业务，计划在2018年夏天停止微波器件的生产与供应；而该公司透露，其微波......
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江苏中显机械有限公司正在研发生产国际上发展最快的新材料——第二代化合物半导体材料砷化镓单晶。近日．该公司拥有自主知识产权的......
1 5G通信技术发展背景及对关键材料性能的要求1.1 5G通信技术发展背景信息技术领域已成为提升国家科技创新实力、推动经济社会发展......
皖政办[2018]2号各市、县人民政府,省政府各部门、各直属机构:《安徽省半导体产业发展规划(2018—2021年)》已经省政府同意,现印发......
自1952年提出A~NB~((?)-N)的化合物具有半导性以来,极大地促进了对半导体材料的制备和研究。随着半导体器件向超小型、高速、高频......
本文主要对GaN外延膜和InAs量子点等两种Ⅲ-V族化合物半导体材料进行研究。采用分子束外延系统生长样品,完善制备工艺,并研究其发......
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
<正>1 Ga As材料和太阳电池的特点以Ga As为代表的III-V族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所......
综述了用于集成电路和半导体分立器件的半导体材料的现状和发展趋势。...
<正>氮化镓(Ga N)是被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代Ga As、In P化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。由于Ga N材料......
<正>近日,华为在巴塞罗那发布了全球首款5G商用芯片—巴龙Balong5G01,率先突破了5G终端芯片的商用瓶颈,抢在了苹果、高通之前。华......
<正> 镓(Ga)属于稀散金属,具有银白色的光泽。镓性质较软,可用刀切,其熔点很低,仅29.75℃,放在手上即熔化成液体。镓是1875年发现......
