重掺杂多晶硅纳米薄膜具有较大的应变系数和良好的温度特性，是制作力学量传感器的理想压阻材料．为优化多晶硅纳米薄膜的压阻特性，就淀......

本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参......

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β......