在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特......

综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温......

采用对靶磁控溅射法在单晶硅衬底上沉积镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜,然后在形成气体FG（10%H2,90%N2）气氛中进行450℃常规热退火50min。......

用沉淀法制备了YAG：Ce纳米荧光粉.用X射线粉末衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对粉体煅烧过程的相变和形貌进行了表征.研究了80～400K范......

氮化镓(GaN)基半导体材料优越的物理特性,如高电子迁移率、高电子漂移速率、强击穿电场和良好的热稳定性等,使得AlGaN/GaN异质结特......