满阱容量相关论文
研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动......
随着近年来半导体工艺的不断发展，国内外对CMOS图像传感器的研究也越来越快，各种高性能的CMOS图像传感器产品一一问世，有逐渐取代CCD......
时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而,在入射光强较强时,TDI-CI......
随着近年来半导体工艺的不断发展,国内外对CMOS图像传感器的研究也越来越快,各种高性能的CMOS图像传感器产品一一问世,有逐渐取代C......
在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容......
随着CMOS工艺水平的提高与诸多技术瓶颈的解决，CMOS图像传感器凭借低功耗、低成本、小体积、可随机读取等一系列优点，在平板电脑、智......
