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球状缺陷相关论文
大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究
随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展,电路特征尺寸不断缩小,互连层数不断上升.由于铜的电阻率较低,抗电迁移和应力迁移能力强......
学位
大马士革工艺
铜互连
氮化硅薄膜
球状缺陷
铜的硅化物
应力迁移
空洞
失效
长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案
随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究......
期刊
铜互连
等待时间
球状缺陷
器件失效
正交实验
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