器件失效相关论文
本文介绍了一例电子设备在振动试验中出现元器件失效的基本情况,分析了失效的原因,并提出了解决失效的方法及机籍和印制板抗振设计......
诺基亚5110、6110、6150这三款手机故障都有一个共同的特点:电池与手机接触不良,有明显松动,这是因为它们都配有腰夹。如果不用腰......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流......
随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠......
众所周知，电子整机装备是由元器件构成的，元器件的可靠性直接影响整机的可靠性，大量的电子设备故障统计表明，电子元器件失效在整机故障......
现有用来做ESD核查和评估的计量方法是测量静电场与/或电荷。这些参数并不能直接表征ESD事件，即对能导致器件失效的机器性能做出精......
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导......
本文通过试验检查和原理分析定位了故障元器件;结合产品工作及故障检测原理给出了故障定位的具体过程;最后通过失效分析手段明确了......
随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究......
双线击穿的器件其性能极为不稳,也是微波管及高反压器件失效的主要原因。我们围绕着双线击穿这一课题,开展了一些工作,认定产生双......
<正>概述2012年初,国内某公司销往国外的产品陆续有出现PTC(Postive Temperature Coefficient正温度系数热敏电阻器)烧毁事件的发......
在IC制造中,几乎所有的半导体器件在其制造过程中都会用PVD工艺来淀积多层金属层,用来做连线或配线。目前,用PVD工艺所淀积的铝(Al......
(3)加速寿命试验长期寿命试验方法需要很长的时间,统计寿命试验方法需要大量的样品,这两种方法都有其优点和缺点,多年以来人们就......
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具......
