电子泄漏相关论文
为了提高AlGaN基深紫外发光二极管（light emitting diode， LED）的内量子效率（internal quantum efficiency， IQE），本文采用了基于InAlGaN/......
近年来,由于GaN基蓝光激光二极管具有效率高、价格低、寿命长等特点广泛应用于激光打印、激光测量、激光显示和照明、激光探测等领......
效率陡降严重影响A1GaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能,也是近年来DUVLED的一个瓶颈性问题.对常规电子阻挡层(P-EBL)和A1......
InGaN基激光器由于其广泛的应用受到越来越多的重视，尤其在可见光波段。但是对于InGaN基紫光激光器仍然存在一系列问题需要解决，例如......
效率陡降严重影响AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的输出性能，也是近年来DUV LED的一个瓶颈性问题。对常规电子阻挡层(P-EBL)和Al......
为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较......
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大......
氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,常温下GaN的禁带宽度大约为3.4 eV。并且GaN基材料带隙宽度可调,......
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)相比于传统的边发射激光器(EEL)具有低阈值电流和高速直接调制等优点,然而VCSEL中电子阻挡层(EBL)存......
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老......
利用热力学统计理论和激光器输出特性理论,建立了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区中上激发态电子往更高能级电子态泄漏的计算......
