内量子效率相关论文
为了提高AlGaN基深紫外发光二极管（light emitting diode， LED）的内量子效率（internal quantum efficiency， IQE），本文采用了基于InAlGaN/......
聚3-己基噻吩（P3HT）以其合成工艺简单、成本低廉的优势，成为有机光伏领域中最具吸引力的电子给体材料之一。然而，目前P3HT:非富勒烯太......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管（LED）,调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。......
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,......
随着集成电路产业的发展,研制高性能Si基光电集成电路对于解决集成电路发展的瓶颈问题尤为重要。而锗（Ge）材料由于其直接带与间接带......
氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源,应用于各个领域,如固态照明、平板显示、交通汽车、......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
发光二极管（LED）诞生于20世纪中期,发展至今,LED的应用已经是随处可见,被誉为人类的第四代照明器件。LED具备响应时间短、光谱可调范......
使用金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法生长了三个具有不同垒层温度的InGaN/GaN量子阱。......
通常有机材料被认为是绝缘体,但是随着科学的进步,科学家们不但发明了可以导电的有机材料,还发现某些有机材料通电可以发光。自
O......
热光伏技术正在迅猛发展，提升其核心器件，即热光伏电池的能量转换效率对热光伏技术发展的重要性不言而喻。本论文从多个方面研究了提......
采用湿化学方法对硅片背面抛光钝化,研究背腐蚀对硅片各项性能、电池电性能的影响.通过分析腐蚀后硅片表面形貌、反射率及电池电性......
用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱，采用扫描电子显微镜( SEM )观测其形貌，室温下光致发光( PL)谱测量研究样品发光......
对Zn在N-GaSb晶片中的扩散过程进行了实验研究和分析。实验中采用“准密封”扩散方法,使用纯Zn和纯Sb作为扩散源,通过SIMS(二次离......
通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶......
黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb^3+/Eu^......
采用两种方法对650m AlGaInP LED内量子效率进行测量分析。一是考虑光子循环利用的影响，建立取光效率模型，使用光线追迹法模拟计算取......
近日,吉林大学教授李峰团队和剑桥大学教授Richard H.Friend团队合作,研制出一种新型发光二极管,利用自由基大大提高了发光二极管......
深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有......
Ⅲ族氮化物基紫外LED由于具有开关速度快、寿命长和光谱窄等优点,使其在UV固化、光刻、防伪检测、水净化和医疗诊断等领域具有广阔......
发光二极管（LED）中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布．而芯片温度又影响载流子的输运及复合，两者具有强烈的耦合关......
使用高亮度发光二极管（HB—LED）的半导体照明技术正受到全球关注，而存在的主要问题是发光效率低。本文指出发光效率即外量子效率是内......
本文针对目前黄绿光AlGaInP LED内量子效率低的现状,本文提出在N型波导层与有源层之间插入不对称谐振隧道和超晶格结构,以提高黄绿......
利用有效质量理论,研究了传统量子阱结构(样品A)、In0.15Ga0.85N/In0.25Ga0.75N阶梯状量子阱结构(样品B)和In0.25Ga0.75N/In0.15Ga......
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电势诱导衰减（potential induced degradation,PID）效应是导致光伏组件输出效率下降的主要原因之一。为了研究PID太阳电池前表面非平......
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了体内和表面复合中心对产业化P型单晶硅太阳电池电学性能的影响。重点分析了当复合中心存......
施主受主共掺杂的荧光4H—SiC可以通过复合发出可见光，影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方......
<正>以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料在半导体照明、新型激光显示、高速移动通信等诸多领域有着重要应用。本文在对Ⅲ族氮化......
目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随......
Ⅲ族氮化物材料为直接带隙半导体,并且带隙覆盖了从红外到紫外波段,是实现固态照明和低功耗显示器的理想材料。尽管Ⅲ族氮化物材料......
纳米结构是现代光电子器件的基本结构之一,半导体器件中金属-介质纳米结构在电磁场的作用下更是具有一系列与表面等离激元相关的电......
热光伏(Thermophotovoltaic,TPV)技术是一种将热能直接转化成电能的技术。与传统的太阳能光伏系统相比,TPV系统具有理论效率高、无......
光伏发电是解决人类能源需求和维持可持续发展的重要途径。在不断推动太阳电池效率提升的进程中,纳米结构在器件上的应用已经展示......
针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对 P型双面单......
GaN基LED作为第三代光源,被广泛应用在显示、固态照明等领域,经过多年的快速发展也已经实现了商业化。但是LED的发展仍然面临着被......
LED的内量子效率是评价LED性能的重要指标.本文详细介绍了目前针对Ga N基LED内量子效率的多种评测方法,包括:变温光致荧光方法、变......
随着社会的发展,在全社会用电量中,照明用电的比例越来越大。因此,迫切需要发展节能高效的新型照明。近年来,发光二极管(light-emi......
采用化学自燃烧方法制备了Eu^3＋掺杂的Y2O3纳米晶粉末材料，并在制备过程中引入了少量的Ag^＋离子。计算了Eu^3＋的^5Do能级的发光的内量......
