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电流峰-谷比相关论文
基于共振隧穿理论的GaAs基RTD的设计与研制
以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设......
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共振隧穿二极管
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分子束外延
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