电流集边效应相关论文
在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外......
介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管设......
介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管......
由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。......
本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾.文章指出:1971年,J.Olmstead等人在四个假设下,导出了一维的描述该效应的......
本文简述了硅双极型大功率开关晶体管产生正偏二次击穿的机理,提出一种提高硅双极型大功率开关晶体管二次击穿容量的有效方法,并以......
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等......
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的......
本论文是在863计划项目(编号2015AA033305)的支持下完成的,主要内容如下:GaN材料以其独有的材料优越性受到了广泛的关注,在电力电......
学位
主要从器件的结构与制造角度，详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施，并介绍了一种新型的大功率晶体管......
本文采用Schrodinger方程与统计力学方程联立的方法,研究了金属/AlGaN/GaN异质结横向肖特基二极管正极电流分布不均匀的现象,提出......
