二次击穿相关论文
分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）具有开关速度快、损耗小等优......
氙灯启动时,在从雪崩放电过渡到弧光放电的过程中,若电流控制不当,会引起断弧,进而导致二次击穿,频繁的二次击穿会严重影响功率器......
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器......
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs，通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离......
从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施......
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测......
本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法，并从理论上作了探讨。...
集电极峰值电流（I_（CM））、集电极-发射极击穿电压（V_（CEO））、最大耗散功率（P_（CM））、直流二次击穿临界电压（V_（SB））是衡量大功率晶体管可靠性优劣的......
对p-n-n＋二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真，研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及......
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下......
<正>随着晶体管技术的发展,超高频大功率晶体管得到越来越广泛地应用。近代生产的船用单边带发信机已全部运用了晶体管功率放大器......
本文在简单分析双极型晶体管抗辐照性能的同时,着重分析了晶体管的二次击穿现象和机理,结合加固的大功率晶体管的二次击穿问题找出......
本文主要从工程应用的角度出发,介绍了晶体管的过压特性。并提出了雪崩击穿晶体管的挑选方法,给出了几种实际应用的具体电路.......
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一......
基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型......
<正> 为了克服存在于各种测试电路中共同的严重问题,我们已设计出一种测量电路强度的方法,这种方法对测试电路要求不高,而测量强度......
采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介......
为满足系统级电磁兼容测试标准IEC61000-4-2,许多航空电子设备中都有静电放电(ESD)防护器件,其功能的失效直接影响到被保护电路和......
<正> 可靠性工作不仅是评价器件的可靠性水平,更重要的是改进可靠性。因此,对失效器件必须进行详细的分析,找出失效原因,反映给器......
ＭＯＳＦＥＴ开关的驱动ＤｒｉｖｅｏｆＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴｓ重庆建筑大学郑洁（重庆４０００４５）重庆大学串禾（重庆４０００４４）１引言金属氧化物半导体晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）以其低内阻、高速度、低漂移、无二次击穿和驱动功率......
瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V......
期刊
本文介绍了一种8098单片机控制的直流调速系统.特别是利用8098片内的A/D口,方便地实现了0～5V给定模拟信号的输入及转速负反馈的控制......
在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VD......
阐述了双极型微波功率晶体管的主要失效模式及失效机理，重点分析了热应力导致的失效，介绍了两个典型的失效分析案例．并提出相应的筛选......
期刊
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS......
ＶＤＭＯＳ场效应晶体管是功率器件中的一种新兴器件，它的应用领域相当广泛，可以说绝大部分用三极管的地方都可以用ＶＤＭＯＳ管取代。文章就ＶＤＭＯＳ场效应晶体管......
静电放电(简写为ESD)是集成电路(简写为IC)在制造、运输、以及使用过程中经常发生并导致IC芯片损坏或失效的重要原因之一。工业调......
本文对影响节能灯用功率三极管器件的二次击穿的主要因素进行综合分析和论证,以确认在器件的设计、工艺参数设置和材料选择等设计......
以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础，建立了1维数值模拟程序。程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维......
集电极峰值电流（ICM）、集电极-发射极击穿电压（VCEO）、最大耗散功率（PCM）、直流二次击穿临界电压（VSB）是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要......
主要从器件的结构与制造角度，详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施，并介绍了一种新型的大功率晶体管......
晶体三极管（下简称＂三极管＂）在工作时,因工作电压过高、工作电流过大、工作状态不符合要求等都会造成损坏。那么,具体情况是如何发生？本......
<正> 给出完善可信的极限参数是提高功率晶体管使用可靠性的一个重要因素。目前我国晶体管手册中对功率晶体管给定的极限参数一般......
