二次击穿相关论文
分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）具有开关速度快、损耗小等优......
大功率音频晶体管的电流集中现象一直是影响其稳定性,制约其使用寿命的关键问题.国际上传统是采用发射极镇流电阻,以达到缓解电流......
剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的ＧＴＲ过流保护电路。该电......
在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。
Based on the experimental re......
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ElectrostaticDischarge, ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和......
固体雪崩管(以下简称雪崩管)被触发工作在雪崩或二次击穿瞬间时能输出很大的脉冲峰值电流，且触发晃动和上升时间都很小，因此广泛用于......
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本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方......
针对近几年来强辐射效应，尤其是高功率微波效应和超宽带非核强电磁脉冲效应研究中的几个物理问题，发表了作者的见解。这些问题是：1.高......
随着集成电路的发展和集成度的不断提高，工艺线宽的缩小使得ESD保护模块的设计面临更多挑战。在这种条件下，深入理解保护器件的物理......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用时域有限差分方法，求解了一维半导体器件内总裁 流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以......
【正】 第五讲 电子管的特点 电子管作为电真空器件与大家熟悉的双极晶体管有较大的差别,为了使读者更好地掌握电子管,下面将二者......
氙灯启动时,在从雪崩放电过渡到弧光放电的过程中,若电流控制不当,会引起断弧,进而导致二次击穿,频繁的二次击穿会严重影响功率器......
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器......
剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失交的器件内部和外部原因，设计了一种快速有铲的ＧＴＲ过流保护电路。该电路......
以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础，建立了1维数值模拟程序，程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组．应用该程序对亚微米1维弹道......
分析了ＧＴＲ运行中出现故障的微观机理，以此为扭讨论了降低故障的相应对策。...
本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。......
介绍了一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化，筛选措施。...
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，说细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。......
<正> 大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题,诸如电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符要求、甚至集电......
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOI MOSFETs，通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离......
从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施......
根据功率晶体管二次击穿的物理变化过程，设计出可行的二次击穿无损测试系统，并对系统各部分电路的工作原理作了介绍。......
本文从雪崩击穿、二次击穿和异常击穿三个方面,论述了双极型功率晶体管的击穿特性,结合半导体分立器件测试系统所采用的击穿电压测......
本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法，并从理论上作了探讨。...
集电极峰值电流（I_（CM））、集电极-发射极击穿电压（V_（CEO））、最大耗散功率（P_（CM））、直流二次击穿临界电压（V_（SB））是衡量大功率晶体管可靠性优劣的......
对p-n-n＋二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真，研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及......
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用。对ESD应力下......
本文在简单分析双极型晶体管抗辐照性能的同时,着重分析了晶体管的二次击穿现象和机理,结合加固的大功率晶体管的二次击穿问题找出......
本文主要从工程应用的角度出发,介绍了晶体管的过压特性。并提出了雪崩击穿晶体管的挑选方法,给出了几种实际应用的具体电路.......
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一......
本文据根行扫描电路的原理,分析具备良好可靠性的行扫描晶体管所必需的条件,着重针对偏转电路特有的过渡特性和异常情况,指出行扫......
本文主要阐述了一种功率脉冲驱动方法、功率脉冲发生装置技术实施方法以及空间取电技术的研究。具体为采用双极板电场感应取电的方......
【正】 BSIT是一种新型功率开关器件,在国际上仅在日本有产品销售。 该器件在工作原理及结构设计上均有新的突破,因而该器件不仅具......
本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积......
基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型......
本文对功率晶体管(GTR)正偏二次击穿测试仪的研制进行了说明,并给出了主要技术参数。最后利用该仪器对GTR进行了测试,并对测试中的......
