异质结双极晶体管(HBT)相关论文
在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外......
根据异质结双极晶体管（HBT）的实际结构提出高频小信号电路模型，以此模型用于共射放大电路为出发点，从理论上阐明了高频放大电路产生不......
本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用....
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基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大......
设计并研制了用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极晶体管(HBT),介绍了工艺流程及器件结构。分别采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)......
本论文工作是围绕本论文工作是围绕国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(No.2003CB314901)、国家高科技研究发展计划(863计划)......
本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的......
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的......
InGaP／GaAs异质结双极晶体管(HBT)具有优良的频率和功率特性，并具有相对成熟的材料生长技术和器件制备工艺，因此在无线通信、光纤通信......
本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“基于RCE光探测器和HBT的单片集成（OEIC）高速光接收模块......
异质结双极晶体管(HBT)的特点具有宽带隙的发射区,能大大提高发射结的载流子注入效率,降低基区串联电阻,其优异的性能包括高速、大......
本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“基于RCE光探测器和HBT的单片集成(OEIC)高速光接收模......
本论文的工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构......
本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“基于RCE光探测器和HBT的单片集成(OEIC)，高速光接收模......
介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器......
当今光通信正在向智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光网络演进,其对光电器件的性能要求也越来越高。异质结双极晶体管(HB......
本论文的工作是围绕任晓敏教授承担的教育部高等学校博士学科点专项科研基金“RCE光探测器和HBT的单片集成(OEIC)高速光接收模块”......
随着微电子技术及其相关产业的不断发展，人们对该领域的研究也在不断深入，无线通信，特别是第三代通信技术的发展，以及SiGe器件和电路在......
本文对n~+pn~-n~+型SiGe基区异质结双极晶体管(HBT)在大电流下的频率特性进行了研究。建立了将Ge引入到集电区后异质结势垒效应(HB......
