电荷收集效率相关论文
金刚石作为超宽禁带半导体材料,具有超强的抗辐照特性、皮秒级的超快时间响应、极高的热导率、极高的击穿场强,使其成为下一代强辐......
随着科学技术的不断进步,微光夜视器件逐渐向数字化方向发展。电子轰击CMOS（EBCMOS）作为一种新型的数字化微光夜视成像器件,它具有设......
设计了电子倍增层的多种表层结构,并模拟分析了表层掺杂分布对电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件的电荷收集效率的影响.结合离子注入......
通过实验测量和理论分析,从载流子动力学角度研究了用于脉冲辐射探测的CVD金刚石薄膜探测器的适用结构、电荷收集效率和时间响应性......
据媒体近日报道，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究人员使用以蓝宝石为衬底的GaN晶片，成功研制出GaN核电池原型器件。该电池采......
实验测量了自行研制的三明治电极结构化学气相沉积（CVD）金刚石薄膜探测器在室温下对241Am,243Am与244Cmα粒子的能谱响应,得到了其α......
针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求，采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅（4HSiC）宽禁带材料制成肖特基二极管，研究了该探测器对2......
Organic–inorganic halide CH3NH3PbI3（MAPbI3） perovskite solar cells（PSCs） have attracted intensive attention due to their hi......
随着科学技术的发展,半导体材料与工艺技术的发展突飞猛进,传统探测器工艺日趋完善,新材料半导体探测器也越来越多的进入人们的视......
随着半导体材料和工艺技术的发展,越来越多的半导体探测器进入人们的视野。其中硅探测器以其优良性能和先进的工艺优势,一直被应用......
学位
金刚石以其独特的性能成为辐射探测器的理想材料。采用HFCVD方法制备了高质量、（100）取向的CVD金刚石膜，在此基础上研制出X射线探测器......
理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子......
采用大面积半绝缘型GaN（semi—insulting GaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵......
碲锌镉(TeZnCd)探测器是近年来兴起的一种新型半导体探测器,其具有能量分辨率高、空间分辨率高、便携性好、且能在室温下正常工作......
采用热丝辅助化学气相沉积（HFCVD）方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜，用以制备辐射探测器。在100V偏压下，测得暗电流为16．1nA，^55F......
本文对P型衬底均匀掺杂的情况下电子轰击有源像素传感器(EBAPS)的电荷收集效率进行了理论模拟研究:依据低能电子与固体的相互作用......
依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究了EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响。模拟研......
对P型基底均匀掺杂的情况下电子轰击有源像素传感器(EBAPS)的电荷收集效率进行了理论模拟研究,依据低能电子与固体的相互作用模型......
期刊
由于电子轰击有源像素传感器(EBAPS)具有高探测灵敏度、高机电一体化、低功耗、体积小和低成本CMOS加工工艺等优点,因此得到了国内......
研制出CVD金刚石薄膜探测器，在国家串列加速器和^40Co稳态辐射源上分别完成了该探测器对9 MeV质子束流和1.25MeVγ射线的辐照性能研......
中子不带电,它与原子核相互作用时不受库仑势力的阻挡。先进的中子探测技术是开展精密中子物理实验的基础,在核反应堆、新能源技术......
采用蒙特卡洛程序Geant4构建平面型CdZnTe探测器,模拟241Am（59.5 keV）与137Cs（662 keV）两种不同能量射线从阴极面垂直入射探测器.通过......
被称为第三代新型太阳能电池的染料敏化太阳能电池（DSC）具有广阔的研究和应用前景。目前DSC光电转换效率主要受到光生电荷在电池内部......
基于有限元方法对GEM电极的电场分布进行模拟和计算 ,得到了完整的三维电场分布 .研究不同几何构型的GEM场强分布对电荷收集效率的......
伴随着经济的快速发展、科技的日益进步以及人们生活方式的改变,传统的能源结构已经不能满足人类对能源日益增长的亟切需求,发展可......
第三代半导体4H-SiC基器件依托于宽禁带、临界位移能高、临界击穿场强大等优异的材料物理特性,很大程度上克服了传统Si、Ge、GaAs......
