研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......

根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟......

基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型.模......

本论文主要分析了Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应，叠层栅MOS电容中SiO2为20nm，Si3N4厚度分别为40nm和110nm，通过辐照前后电容CV曲......

为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研......

为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的......