界面态电荷相关论文
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电......
本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要......
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟......
期刊
基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型.模......
碳化硅/二氧化硅(SiC/SiO2)界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的通态电阻和开关......
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用，给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型．计算了在不同沟道......
本论文主要分析了Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应，叠层栅MOS电容中SiO2为20nm，Si3N4厚度分别为40nm和110nm，通过辐照前后电容CV曲......
为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研......
为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的......
