复合速率相关论文
降低硅表面反射率的方法一般是通过对硅表面进行绒化处理,从而在表面产生微米级的金字塔,在四分之一波长设计一个电介质层以进一步......
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......
制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子......
对国外标准三代、高性能三代、超三代和四代GaAs光电阴极进行了光谱响应曲线比较.结果显示,GaAs光电阴极的积分灵敏度、响应的截止......
本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜。利用原子力显微镜（AFM）,IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微......
Cd_（1-x）Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光......
镁铝类氢类氦类锂离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在用双示踪元素谱线强度比研究ICF电子温度中占有很重要的地位.计算了双......
在已有的负电子亲和势(NEA)光电阴极特性评估技术的基础上,研制了三代微光器件的测试和评估系统工程样机,用于对三代微光器件的光......
本研究采用量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察,并和实验测量结果进行了比对。结果发现,利用量子......
