直接氮化法相关论文
AlON陶瓷由于其优异的透光性、耐腐蚀性等被广泛应用于军事领域。目前,大部分合成AlON粉体的方法所需要的温度很高,得到的粉体粒径......
氮化硅纳米线因其优异的力学和光电性能,在纳米复合材料、太阳能电池及光电子器件及等多个领域都具有广泛的应用前景。现已有的几......
高品质的氮化硅粉体对物相、杂质含量以及形貌有严格要求。对物相和杂质含量这两个指标,学术界和产业界已经研究多年,具备了较成熟......
氮化硅材料具有优异的耐磨损、耐高温、耐腐蚀和抗热震性能,广泛应用于化工、能源和航空航天等领域;氮氧化硅材料还具有高韧性和更......
采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样......
采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）和......
本文就国内外AlN粉末合成的研究情况,综述了直接氮化法、Al2O3碳热还原法、自蔓延高温合成法、等离子体法、气溶胶法等主要的几种A......
用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该......
氮化硅纤维材料不仅力学性能好,弹性模量高,热膨胀系数低,介电常数和介电损耗低,还具有较低的热导率,在节能铝电解槽和微波烧结炉......
<正> 一、前言氮化硅,因具有可大幅度提高以往氧化物系列陶瓷(除部分稳定化氧化锆外)的强度,以及作为结构陶瓷的极大可能性,而在被......
简要介绍了TiN的性能及主要用途,分析和阐述了TiN粉末制备的研究现状及发展趋势,重点讨论了碳热还原氮化合成TiN粉末存在的问题和......
综述了氮化硅粉体的制备方法和国内外研究现状,并对目前大规模采用的硅粉直接氮化法和碳热还原二氧化硅法存在的问题进行了分析。......
<正> 一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加......
用金属镁（Mg）作催化剂,氮气和铝块为反应物,采用直接氮化法制备出氮化铝（AlN）粉末样品。运用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而......
研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3......
Si3N4材料具有高强度、高模量、耐高温、高热导率、抗氧化、耐腐蚀和低热膨胀系数、低介电常数和介电损耗等一系列优异的物理化学......
Si3N4复相材料具有比一般Si3N4材料更为优异的物理和化学性能,而受到人们广泛的重视,成为结构材料领域研究中的热点问题。本文以直......
氮化铝(AlN)是一种新型功能陶瓷材料,具有良好的热传导性能、可靠的电绝缘性能、较低的介电损耗和介电常数、以及与硅相接近的热膨......
采用镁粉(Mg)和氯化铵粉末(NH4Cl)做双重辅助添加剂,铝粉与氮气为反应物,采用直接氮化法制备出低成本的氮化铝粉末样品。采用XRD和......
采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si3N4粉体。着重讨论了催化剂含量和氮......
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