氮化铝陶瓷相关论文
针对弹箭燃气舵轻量化问题，设计了基于高热导率氮化铝陶瓷材料的新型燃气舵。为考察其可行性，建立了基于流固热耦合的非定常数值模拟......
文章主要从材料选择、工程设计、氮化铝陶瓷放置、压合方法及电镀等几个方面进行介绍，通过优化相关资料和工艺方法，来解决嵌埋陶瓷PC......
氮化铝陶瓷因其良好的导热性、与硅接近的热膨胀系数和优异的机械强度等优点，作为高集成度和高功率器件封装最理想的载板材料而广受......
AlN陶瓷的热导率受声子-声子之间的相互作用,即声子散射的影响,各种结构缺陷的存在使声子平均自由程减小,导致热导率降低。本文讨......
AlN陶瓷作为新一代功能陶瓷材料的代表，有着其他陶瓷材料无法比拟的优良特性：热导率高、介电常数低、电绝缘性高、无毒、热膨胀系数......
氮化铝（AlN）陶瓷具有优异的综合性能,具有高热导率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗,是大规模集成电路、半导体模块和大功率器件的......
随着微电子技术的不断发展，电力电子系统高集成度导致功率密度的提高，器件工作时产生的热量增加，Al2O3等传统的陶瓷基板已经难以满足......
以微电子技术和信息技术为代表的高新技术迅速发展，以及集成电路向超大规模发展，对IC芯片基板材料的性能要求越来越高，除了满足集成电......
以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0GPa,1 300～1 800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷.用X射......
本论文以氮化铝陶瓷的制备为研究对象,围绕其在烧结过程中的氧化进行了研究,分析了氮化铝陶瓷在烧结过程中氧化的机理,提出了防止A......
半导体仪器在各个领域得到了广泛应用,但制造半导体仪器所需要的高温导热材料仍然是一个迫切需要解决的问题,以AlN为基质的陶瓷,使......
氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流......
本文叙述了陶瓷在功率电子器件输出窗组件中具有特殊地位和作用。当今,氮化铝陶瓷具有高热导率,低的介质损耗和非常低的次级电子发......
以自蔓延法合成的AlN粉末为原料,加入5% Y2O3（质量分数,下同）为烧结助剂,选用石蜡（PW）、聚丙烯（PP）和硬脂酸（SA）粘结剂体系制成注射成形喂......
综述了稀土氧化物在压电陶瓷，导电陶瓷，AlN陶瓷，ZrO2氧敏陶瓷，微波介质陶瓷中的应用现状，详细讨论了稀土的作用机理，再现了稀土氧化物掺......
采用无包封SHS-HIP工艺在100 MPa的高压氮气下,制备了致密度较高的AIN陶瓷(88%).研究了添加剂氧化钇(Y2O3)对氮化铝陶瓷高压(100MP......
以Al粉和C粉为原料,经球磨、干燥后在1400℃氮气气氛中氮化.氮化产物于650℃煅烧脱碳,制备出粒度为50nm左右的超细AlN粉.用SEM、TE......
建立了一种设计笼状氮化铝团簇的原则与方法,以此设计了(A1N)n(n=2～41)团簇的几何结构.采用量子化学AM1,HF/STO-3G和HF/LANL2DZ方法......
本文介绍了影响Ａ１Ｎ陶瓷热导率的各种因素及提高热导率的措施；报道了最新的低温烧结研究动向。......
利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝,不加任何添加剂,在1800℃的烧结温度、25MPa的压力下,仅保温4min,就可达到99%的理论密度,SEM表......
本文研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的晶界相及其产生过程和除氧机制;分析了两种烧结工艺烧制的AlN陶瓷的晶界成份;......
通过高温热氧化的方法，在ＡＩＮ陶表面形成一薄层ＡＩ２Ｏ３作为过渡层，成功地将铜与ＡＩＮ陶瓷键合在一起，研制出性能优越的ＡＩＮ陶瓷覆铜基板。研究了ＡＩＮ热氧化时间......
阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm×......
选用6种配方进行研究,通过XRD、SEM和TGA研究了各配方在升温过程中的物相组成及变化,详细记录了实验中各试样的形貌变化,讨论了相......
通过球磨可以极大地细化AlN陶瓷的晶粒尺寸,透射电镜(TEM)观察的结果表明,经过40 h的球磨后,晶粒尺寸由原始的40 μm减小到30-200 ......
采用放电等离子烧结技术制备Al N陶瓷,并利用真空无压烧结方法进行热处理。研究了不同烧结助剂在高温热处理过程中对Al N陶瓷的物......
利用熔盐热岐化反应法成功地进行了氮化铝陶瓷表面钛金属化。利用正交实验法就反应温度、反应时间、K2TiF6浓度3个因素对制备工艺......
氮化铝和氮化铝陶瓷周文钊（无锡化工研究设计院，２１４０３１）过去基板材料以氧化铝为主，但随着现代电子技术的飞速发展，要求整机朝着微型化、轻型化......
针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能电子元器件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性;针对性开发高温烧......
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<正> 一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加......
作者详细介绍了高热导率氮化铝陶瓷制备工艺的研究状况,包括粉末的合成、成形、烧结3个过程.指出低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶......
氮化铝陶瓷属优质陶瓷材料,自身热导率高、电绝缘性良好、介电常数及损耗低,受到高功率电子生产行业广泛欢迎。氮化铝陶瓷主要应用......
一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,砷化镓(Ga As)单片LNA,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计的高集成射频接收前端模块,在1......
本文研究了不同氧化处理下氮化铝陶瓷的氧化情况,并使用Mo-Mn法进行金属化,测试封接强度及气密性,从而探究氮化铝瓷的氧化机制,氮......
以硝酸铝(Al(NO3)3@9H2O)和葡萄糖(C6H1 2O6@H2O)为原料,利用碳热还原法制备氮化铝粉末,研究了尿素对前驱物的制备及前驱物氮化反......
研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12,常压烧结AlN陶瓷的......
采用硝酸盐-有机物低温燃烧反应溶胶-凝胶工艺,以硝酸铝(Al(NO3)3@9H2O)、葡萄糖(C6H12O6@H2O)、尿素(CO(NH2)2)为原料,制备出粒度......
为了扩展氮化铝陶瓷电路基片的应用范围,采用冷等静压成型、气氛保护无压烧结在陶瓷表面制备了钨钛合金层,并辅以旋涂-水热合成技......
氮化铝陶瓷这种高致密度氨化铝陶瓷的制作工艺如下：在使用粘合剂（树胶）的情况下，先挤压细磨粉末，而后于１８００～１９００Ｃ的氮气氛中烧成即可。该种陶瓷可......
