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砷镓铟相关论文

Si3N4无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构带隙的蓝移

用光荧光谱和二次离子质谱的方法，研究了由Si3N4电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3......

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无杂质空位诱导量子阱光荧光谱二次离子质谱蓝移磷化铟砷镓铟 impurity-free vacancy disorderingquantum well

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