硅双极晶体管相关论文
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效......
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体......
为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分......
利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点，将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不......
本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流......
现代射频和微波通信系统中,处于射频和微波发射机的功率放大器特性的精确表征至关重要。从传统的硅双极晶体管到砷化镓功率晶体管......
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体......
本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了......
