位移损伤相关论文
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,......
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
X射线探测器是提高X射线脉冲星导航系统精确度的关键器件,传统的X射线探测器已经不能够满足X射线脉冲星导航系统对于高精度的要求,......
GaN基高迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的耐高温高压以及抗辐照等性能在卫星通信、空间站等航天领域广泛应用。然而,太空中存在的大......
GaN材料具有宽禁带宽度、高击穿电场和高热导率等优势,在航空航天领域有着广阔的应用前景。虽然GaN材料禁带宽度较大且具有较好的......
光电耦合器(简称光耦)是一种由发光二极管和光敏三极管耦合而成的光电器件,主要用来实现系统的光电隔离功能。作为航天器信号传输......
分析了空间电离辐射的位移损伤效应影响下InGaAs PIN光探测器暗电流的损伤特性,在此基础上建立了强度调制直接检测模式的卫星光通......
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/c......
信息功能铁电薄膜材料因具有良好的性能，被广泛研究并应用于各个领域。在这些应用当中，铁电随机存储器(FeRAM)相比于当前的存储器，具......
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑......
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的......
为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照......
文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应,在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究。结果表明：电流传输比......
光谱响应是表征CCD性能的重要参数。为了研究辐射环境对CCD光谱响应产生影响的规律及物理机制,开展了不同粒子辐照实验,对CCD光谱......
概述了中子对半导体材料的位移损伤函数及损伤能力的表征,并选用ASTM标准的E722-94给出的Si及GaAs位移损伤函数,用MCNP粒子输运程......
文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1mev高能电子辐照试验,获得了辐照后器......
文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦......
介绍了国外对光电耦合器在辐射环境下性能研究的历史和现状，对空间辐射环境及其在光电耦合器中产生的单粒子事件效应，位移损伤效应，辐......
以Xilinx的FPGA为例，结合相关试验数据，分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉......
在室温下开展了1 MeV电子对HgCdTe光伏器件的辐照试验,通过比较电子辐照前、后及室温退火后器件的I-V特性与零偏动态电阻R0,分析了......
利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点，将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性。采用两种不......
对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件（CCDs）进行了60Coγ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值......
材料受到辐照时产生的位移损伤会导致其微观结构发生变化,从而使其某些使用性能退化,影响其使用效率,减短其使用寿命。利用Geant4......
本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大，产生的初级......
与同质结双极型晶体管相比,异质结双极型晶体管具有更为优越的频率特性。在众多HBT材料体系中,InP/InGaAs材料具有较大的禁带宽度......
随着空间技术的迅速发展,In Ga As光电探测器逐步向空间应用拓展,在空间激光探测、卫星遥感等多领域发挥重要作用。空间环境中的大......
应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能，本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。......
本文在分析轨道环境参数、地面模拟试验因素等影响的基础上,应用不同能量质子、电子、Br离子及Co-60 ?射线作为辐照源,研究了国产N......
提出了一种用峰值响应处的位移以衡量该单机所受冲击影响大小的方法,给出了冲击试验位移损伤的判据.该方法简单直观、可量化,相关......
根据硅位移kerma函数表，针对传统的基于平均能量的kerma因子取值方法在位移损伤计算中的不足，提出了不同能量中子分群方式下硅位移ke......
研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子......
辐照指的是辐射作用于物质,导致物质的结构和成分发生变化的过程。质子辐照损伤顾名思义,指的是质子束与物质相互作用,给物质带来......
位移损伤是导致星用光电器件性能衰退的重要因素之一。文章以GaAs太阳电池、CCD、光电耦合器和光敏晶体管为对象,研究了其敏感电参......
本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法,研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和演化过程;基于Shockley-Read-Hall......
未来新型航天器在研制模式、设计技术、元器件及材料等方面与以往卫星相比将有较大变化,从而对抗辐射加固技术提出新的要求。因此,......
电荷耦合器件（CCD）作为航天器成像系统中的核心元器件，遭受空间质子辐照损伤的问题备受关注，国内相关研究开展的较少，论文根据我国CCD辐......
空间技术的不断发展，对电子器件的可靠性提出了更高的要求。AlGaN/GaNHEMT器件在高频、大功率、高温和高压应用方面具有超强的优势，......
学位
位移损伤剂量是评估电子元器件在轨发生位移损伤导致性能退化的重要参数。文章首先给出了位移损伤剂量的等效原理和计算方法，即用位......
本文采用低能质子和电子作为辐照源,研究了NPN双极型晶体管(3DG112D)在辐照过程中的性能退化规律。电流增益是双极型晶体管的电性......
针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压......
为研究键合四结太阳电池中In0.53Ga0.47As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In0.53Ga0.47As单结太阳电池进行了高......
通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理。研究发现,在3×1011～5×1012 cm-2中......
