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随着市场对射频微波电路性能要求的不断提高,半导体器件的制作工艺受到射频微波工程师们广泛的关注,对于给定结构但实际上无法制作......
介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制......
一种用于低压,低功率工作最感兴趣的简单而新颖的单片互补双极型晶体管(简称CBT)结构已经研制出来。这些互补晶体管的特点是双隐埋......
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体......
本文介绍一种改进的高压横向PNP晶体管结构。用该结构制作的器件的HFE和阿莱电压同高质量分立元件的一样良好,而且在350V下保持fT......
<正>无论哪种类型的三极管,电流放大倍数(“β”或“α”)都是一个主要参数,要想获得优良的放大倍数,往往采取很多措施仍然满足不......
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了......
