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传统主存DRAM和外存NAND之间存在巨大的性能和成本差异且面临日益严峻的微缩困境,业界提出了各种新型电阻式存储器来对其进行补充......
近几十年来,随着以集成电路为代表的半导体技术的飞速发展,集成电路中所包含的原件越来越多,传统的存储器件的尺寸越来越小,已经接......
信息技术的飞速发展要求存储器必须具有存储密度高、速度快、不挥发和能耗低等特点。目前的主流存储技术Flash以其读写速度慢、擦......
与其他类型存储器相比,基于硫系化合物的相变存储器（Phase-changeRandom Access Memory,简称PRAM）,具有不挥发性、循环寿命长(大于10......
本文论述了Si掺杂SbTe相变存储介质及其器件的基础研究。 便携式电子产品的蓬勃发展要求未来的存储器必须具有速度快、存储密度......
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元......
忆阻器具有结构简单、非易失性、开关速度快、能耗低、与现有CMOS工艺兼容等优点,在高密度存储、非线性电路、模拟神经网络、实现......
材料、能源、信息一直是支配人类社会发展的三大支柱,因此电子信息材料对人类社会进步的重要性不言而喻。随着电子信息时代的到来,......
