碲化锌相关论文
太赫兹技术的不断发展和在各个领域的进一步应用，对碲化锌（ZnTe）电光晶体提出越来越高的要求。采用Te溶剂法生长碲化锌晶体，可以有效降......
近年来，半导体材料生长技术的不断进步和对半导体器件发展要求的不断提高，极大地推动了化合物半导体材料的合成和器件开发等领域的研......
ZnE(E=S，Se，Te)都是宽禁带、直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料，具有优异的光电及光电转化等特性，在光学器件、太阳能电池、压电材料......
在过去的十年中,具有高的纵横比的一维半导体纳米结构,如纳米线(NWs),纳米带(NRs),碳纳米管(NTs)和多支链结构,由于其新颖的物理和......
凝聚态光谱测量作为一种有效、无损的测量手段，被广泛应用于研究半导体材料和器件的性质。本文首先介绍了半导体中基本光学过程，同时......
碲化锌(ZnTe)作为Ⅱ-Ⅵ族半导体重要组成成员,因其具有良好的光电性能,已广泛应用在绿色发光二极管、太阳能电池、锂电池以及太赫......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe (M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性......
考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项.在线性驰豫应变......
应用电子显微镜首次在ＺｎＴｅ外延膜中观察到分布在（１１１）和（１１１）滑移面上、宽度为４０ｎｍ的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错，其Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为三个相同的（１１２）α／６。......
ZnTe是一种具有优异光电性能的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体,广泛应用于太赫兹（THz）电磁波辐射与探测、纯绿光发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
半导体纳米线由于其独特的一维结构和可调谐的光电性质,被广泛应用于微纳光电探测器、太阳能电池、激光器、非线性光学等器件中。......
在天宫二号飞船综合材料实验炉六工位采用碲熔剂法生长了碲化锌晶体,生长时最高温度为800℃,以0.5mm·h-1的提拉速度向炉膛内部提......
