碲化锌相关论文
太赫兹技术的不断发展和在各个领域的进一步应用,对碲化锌(ZnTe)电光晶体提出越来越高的要求。采用Te溶剂法生长碲化锌晶体,可以有效降......
本文分析了有ZnTe/ZnTe:Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性,I-V特性,光谱响......
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450~550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的......
从理论上分析了CdS/CdTe/Au 器件的Roll over 和Cross over 现象。通过对比有无插入层的CdTe 太阳电池在C-V特性, I-V特性,光谱响应......
近年来,半导体材料生长技术的不断进步和对半导体器件发展要求的不断提高,极大地推动了化合物半导体材料的合成和器件开发等领域的研......
ZnE(E=S,Se,Te)都是宽禁带、直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料,具有优异的光电及光电转化等特性,在光学器件、太阳能电池、压电材料......
在过去的十年中,具有高的纵横比的一维半导体纳米结构,如纳米线(NWs),纳米带(NRs),碳纳米管(NTs)和多支链结构,由于其新颖的物理和......
本文通过理论研究的方法对ZnTe:O中间带材料的性能进行研究,发现该材料很适合作为太阳能电池的光吸收层。在此基础上,进一步研究由......
碲化锌(ZnTe)作为Ⅱ-Ⅵ族半导体重要组成成员,因其具有良好的光电性能,已广泛应用在绿色发光二极管、太阳能电池、锂电池以及太赫......
研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe (M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性......
考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项.在线性驰豫应变......
应用电子显微镜首次在ZnTe外延膜中观察到分布在(111)和(111)滑移面上、宽度为40nm的三重位错带。每条位错带含有三根不全位错,其Burgers矢量为三个相同的(112)α/6。......
撤稿声明:“银包覆ZnTe/ZnO纳米线增强二次谐波产生”一文刊登在2018年4月出版的《应用物理》2018年第8卷第4期第178-184页上。因......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结......
本文报导了ZnS-ZnTe应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质。通过测量室温下光致发光光谱,对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究。......
利用与MOCVD系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Me2Zn和Pr^i2Te城反应器中热裂解行为。报告了纯态Me2Zn和Pr^i2Te及其混合物H2和He气氛中的热裂解实验结果,并......
在13 ̄300K温度下研究了稀磁半导体ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格的喇曼散射,观测到多个声子喇曼峰,在近共振条件下,峰的强度增强,线宽显著变窄,并观测到更多不同声子组......
ZnTe是一种具有优异光电性能的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体,广泛应用于太赫兹(THz)电磁波辐射与探测、纯绿光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
用低压-金属有机化学气相沉积方法在GaAs衬底上生长了ZnTexSe1-x单晶薄膜。在N2分子激光器激发下,首镒在室温,ZnTe0.005Se0.995单晶层中观测到它的蓝带发光。随X值增加,ZnTexSe1-x中......
本文由形变势理论研究了应变对超晶格(CdTe)n/(ZnTe)mГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下,计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒......
本文简要介绍了模型固体理论,并用该理论计算了ZnSe/ZnTe异质界面的带偏移及其随层厚的变化规律,得到的结果为器件工作者提供了理论依据和参考......
在77K 下用氮分子激光器的337.1nm 谱线激发常压 MOCVD 法生长的 ZnTe 外延膜得到了与自由激子有关的发射。在不同衬底 CaF_2、BaF......
半导体纳米线由于其独特的一维结构和可调谐的光电性质,被广泛应用于微纳光电探测器、太阳能电池、激光器、非线性光学等器件中。......
在天宫二号飞船综合材料实验炉六工位采用碲熔剂法生长了碲化锌晶体,生长时最高温度为800℃,以0.5mm·h-1的提拉速度向炉膛内部提......