微结晶硅薄膜太阳能电池 目前，世界太阳能市场上的主流产品是结晶硅太阳能电池产品，而随着市场低成本需求的驱动，以微结晶硅薄膜太阳......

根据Winer模型,联合Winer模型和Street的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD(CPECVD)高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)的淀积率上限rdup......

研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力，通过改变薄......

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜（淀积的衬底温度为400℃）电学和光学性能的影响.实验结果表明......

介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制.......

等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多......

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜......

热电变换器是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具,担负着我国交流电压(流)与国际上交流电压(流)基准或标准值的比对工作。......

研究了等离子增强化学气相淀积（PECVD）制备非晶SiO2薄膜的工艺。系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等......

研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。......

介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄......

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N......

研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法生长SiO2薄膜的应力与测量温度以及热处理温度的关系。借助FLX-2320-S应力仪测量计算了SiO......