在过去的几十年中,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺主导了主流的硅基集成电路技术。随......

在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一.本文......

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、......

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式.在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半......

随着超大规模集成技术的飞速发展,CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度......

体硅CMOS技术始终是硅微电子技术的主流,随着CMOS技术进入深亚微米乃至纳米时代,如何利用微米工艺实现纳米器件,成为Si工艺技术的......

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器......