掺硼相关论文
研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原......
金刚石具有一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能，在高科技领域具有广阔的应用前景。未掺杂CVD金刚石膜是高度绝缘......
通过化学气沉积过程中掺B,制备的金刚石膜电阻率下降10-19,导致金刚石膜整体导电,可采用电火花抛光。用扫描电镜和Raman分析了金刚......
采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜.改变衬底温度、射频功......
采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体，制备出平均晶粒尺寸在7．480nm左右，表面粗糙度在15．72nm左......
采用固体三氧化二硼 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行 p型掺杂 ,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺......
给出了一种掺硼p^＋-Si外延层厚度的测试方法。该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的。Si在KOH溶液中的腐蚀速率与S......
采用化学法制备含B酚醛树脂热解炭材料,比较了不同热解温度及B的掺杂对炭材料微观结构及嵌锂性能的影响.结果表明：H3BO3的加入及热......
介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究......
利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处......
Ni/MH电池负极的高倍率性能和低温放电性能的提高应当受到重视.采用廉价的硼镍合金(B-Ni)作为掺硼添加剂,有效地改善常用MlNi3.55C......
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 n......
由于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)金刚石厚膜的加工极其困难,本文提出了一种金刚石厚膜精加工的新工艺,即通......
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响.结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻;改变扩散温度......
由于金刚石膜的加工极其困难，提出了一种通过在制备过程中掺杂使金刚石膜导电的金刚石膜精加工新工艺，利用电火花对掺杂金刚石膜进行......
莫来石具有优异的高温力学性能、耐高温冲击性、较低的介电性能和优良的中红外透波性能,能应用于化学条件较为苛刻以及高温受到机......
采用微波等离子体化学气相沉积法，以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石（NCD）薄膜的生长过程掺硼，研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶......
一个国际联合研究小组宣布,通过在石墨烯中加入硼原子的方式,他们开发出一种灵敏度极高的气体传感器。该装置能“嗅”出空气中浓度......
利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合膜表面形貌及薄膜质量的影响.结果表明钛膜表......
用微波ＰＣＶＤ法将掺硼金刚石膜淀积在Ｓｉ３Ｎ４基片上．用Ｔｉ薄膜作为欧姆接触电极蒸发在金刚石膜表面上．为防止Ｔｉ在高温下氧化，上面镀上了Ａｕ薄膜，从室温到６００℃范......
由于金刚石薄膜有许多特殊而优越的性质,长期以来人类一直对它进行各种性质研究,以期充分利用。近年来,化学气相沉积金刚石的研究......
纳米金刚石（Nano-crystalline diamond, NCD）薄膜具有与微米金刚石相似的较高的热导率、高的弹性模量、高的介质击穿场强和高的载流......
为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第......
由于金刚石膜作为超硬材料具有许多优异的性质,如超硬、耐磨、高导热率、高电子空穴迁移率、宽禁带、高光学透过率以及极好的化学......
以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p......
以添加5％（质量分数）硼酸的呋喃树脂为前驱体，经炭化后进行高温（2000和3000℃）热处理，制备掺硼呋喃树脂炭。采用XRD、Raman、XPS和SEM考察......
