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二十世纪末，以Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光材料的出现，其利用电子电洞对结合所产生的冷发光方式象征了一个新的世代开始.特别是最近几年，因过度......
采用LP-MOCVD技术在Si(111)上生长六方GaN.有别于传统的二步法,采用高温AlN缓冲层技术,抑制Si衬底与缓冲层之间界面SiN的形成,从而......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
介绍了几种常见的主流固体绝缘固封式真空断路器的特点、固封极柱设计及工艺;分析了真空断路器固封极柱技术的优缺点.针对生产制造......
期刊
全固态电池由于其优秀的安全性、高能量密度、低自放电率以及稳定的长循环寿命被认为是新一代锂离子电池的发展方向。在全固态电池......
