耿氏器件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

耿氏器件相关论文

磷化铟:工艺现状和应用前景(上)

<正> 一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP......

期刊

电学性能 VPE 外延片冷凝法热分解法半导体材料克分子分数水平温度梯度分凝系数耿氏器件生长率应用前景工艺现状磷化铟

毫米波耿氏器件重在应用

<正> 近年来,随着微波、准微波移动通信等通信系统需求的迅速扩大,微波频率拥挤、频率资源的不足已成为不争的事实。因此,为了适应......

期刊

耿氏器件耿氏二极管平面结构倒装片毫米波台面结构耿氏振荡器电路衬底

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