分凝系数相关论文
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
LD泵浦晶体激光器的高效率、高质量、长寿命、小型化、高可靠性以及实现激光器全固化等优越性，引起了学术界、产业界和军方的高度重......
应用TGT法生长了直径为 75mm的U :CaF2 晶体 ,宏观上透明完整 .应用公式K0 =Cs Cl 计算了U在CaF2 晶体中的分凝系数等于 0 5 3.应......
本论文包括五章。第一章绪论部分简要的介绍了本论文研究领域的基础知识和论文中涉及的相关内容背景知识。第二章到第五章是关于稀......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
本文导出了有关液封法拉制砷化镓单晶的分配—分凝方程,并讨论了提高GaAS单晶的纵向均匀性的有效途径。一、前目目口目前由于砷化......
用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了......
太阳能以其分布广泛、清洁无污染等优点将成为21世纪解决能源危机与环境问题的重要途径。硅是目前制备太阳能电池的主要原材料之一......
随着无线通讯、智能手机和LED等微电子行业和光电子行业的迅猛发展,对高纯镓的需求量越来越大,而且对其纯度的要求越来越高,高纯镓......
采用提拉 (Czochralski)法生长了Nd :LuVO4晶体。利用液相反应法 ,以V2 O5和NH4OH生成NH4VO3 ,Nd2 O3 、Lu2 O3 和HNO3 生成Nd(NO3......
采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at%和1.0at%的Ho∶Sc2SiO5(Ho∶SSO)激光晶体。研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0......
在Ho:LiNbO3中掺入摩尔分数为6%的ZnO,生长(Ho,ZnO):LiNbO3晶体.用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法,测定了晶体不同部位Ho3+......
研究了 Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长的 Ｓｂ 掺杂钨酸铅（ Ｐ Ｗ Ｏ） 晶体中 Ｓｂ 的分布和闪烁特性。晶体中 Ｓｂ 含量的测定表明， Ｓｂ 在 Ｐ Ｗ Ｏ 晶体中的分凝系数约为０ ．６３ 。由于 Ｓｂ 掺......
应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb∶FAP激光晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定了Yb3+离子在Yb∶FA......
用提拉法生长出Er3+∶Y0.5Gd0.5VO4单晶,用电感耦合等离子体(ICP)光谱法测定晶体中Er3+原子数分数为0.83%,有效分凝系数为1.03。在......
针对目前普遍存在的难以准确测定晶体组分的问题,提出一种以YAG晶体为标样、采用X射线荧光光谱分析法准确测定晶体组分的方法。测......
采用提拉法（Czochralski）生长了不同Ca^2＋掺杂浓度的CaxY1-xVO4晶体，计算了晶体中Ca^2＋的分凝系数．结果表明，随着Ca^2＋掺杂浓度的增加，分凝......
在LiNbO3多晶料中依次掺入0．2mol%，0．5mol和1．0mol％的钕，采用我们自主开发的计算机控制直拉法生长大直径Nd：LiNbO3晶体．测试了晶体的紫外-......
以HgCdTe化合物的晶体生长为例，针对竖直Bridgman晶体生长过程，数值模拟了液相区界面处溶质分凝产生的溶质扩散边界层随拉晶速度和初......
摘要：采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb（Li/Nb=0.94，1.05，1.20and 1.38）的Zr：Fe：LiNbO3单晶，测试了zr：Fe：LiNbO3晶体的分凝系数，实验结果表明，Li/......
采用Bridgman法生长出尺寸为Ф15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体，XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰，沿晶体生长方向分别于......
采用顶部籽晶法生长出掺杂浓度为3％的Nd：Na3La9O3（B03）8（Nd：NLBO）晶体。X射线粉末衍射图表明Nd：NLBO与NLBO的晶体结构相同，属于六方晶系。Nd......
Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长. X射线 粉末衍射分析表明它的结构与 Nd3+ :YVO4晶体......
利用扫描电镜能谱分析法,对CZ法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部......
在高效多晶的技术创新上,保利协鑫的镓共掺杂技术得到应用（市场上产品为S4）,其主要效果是有效地减少了由于硼氧对引发的转换效率衰减......
应用提拉法生长出不同Yb3+浓度的Yb3xY3(1-x)Al5O12晶体.Yb3+离子的分凝系数1是1.08±0.01,与Yb3+离子掺杂浓度无关.研究了Yb3......
在1%(摩尔分数,下同)Er:LiNbO3中分别掺入2%,4%,6%的MgO,用提拉法生长Mg:Er:LiNbO3晶体.用X射线荧光光谱仪测试Mg:Er:LiNbO3晶体中......
采用垂直布里奇曼法成功生长了一种Cs4SrI6∶3%Eu闪烁晶体。毛坯晶体尺寸最大为Φ25×70 mm3,是目前最大的Cs4SrI6∶Eu单晶。X......
应用TGT法生长了直径为 75mm的U :CaF2 晶体 ,宏观上透明完整 .应用公式K0 =Cs Cl 计算了U在CaF2 晶体中的分凝系数等于 0 5 3.应......
本论文包括五章。第一章绪论部分简要的介绍了本论文研究领域的基础知识和论文中涉及的相关内容背景知识。第二章到第五章是关于稀......
Er^3＋：Y0．5Gd0．5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线衍射分析表明，它的结构与Er^3＋：GdVO4晶体结构相同，它的......
采用单晶提拉法生长了不同[Li]/[Nb]([Li]/[Nb]=0.946,1.05,1.20,1.38)的Hf:Mn:Fe:LiNbO3单晶。为了解释不同[Li]/[Nb]对于Hf:Mn:F......
讨论了Ｃａ３（ＶＯ４）２晶体中由于三价的Ｙｂ＾３＋离子和Ｎｄ＾３＋离子二价的Ｃａ＾２＋离子带来的电价不平衡问题，采用了３种电价补偿方法，即阳离子空位电价平衡方法、四价阳离子替......
采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在......
采用提拉法生长出光学质量优良的Yb3+:YVO4晶体,研究生长过程中工艺参数的控制.测得掺杂浓度为18.1%Yb3+:YVO4晶体中Yb3+离子的有......
采用中频感应提拉法生长了Yb:FAP晶体.对晶体生长中影响晶体质量的因素特别是原料的处理、CaF2的挥发等进行了研究和讨论.运用ICP-......
用提拉法沿α轴和c轴成功生长出质量优良的Nd：YbVO4新型单晶。采用HRXRD-D5005型高分辨X射线衍射仪测得晶体的摇摆曲线，可以测得（400）......
在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和......
采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g。用X射线荧光分析法测得两个主要元素Gd和V的分凝系数都接近1。室......
以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适......
采用提拉法生长了掺杂3.0at%,5.0at%和10.0at%浓度的Sm∶YAG晶体。采用ICP-AES方法初步测试了Sm离子在晶体中的浓度,并根据测试结......
<正> 一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP......
根据给定的技术指标,采用区熔(FZ)单晶衬底、非穿通(NPT)耐压层、尺寸缩小的P阱、平面栅、多级场板终端(或场环加场板)等结构的组......
LD泵浦晶体激光器的高效率、高质量、长寿命、小型化、高可靠性以及实现激光器全固化等优越性，引起了学术界、产业界和军方的高度重......
采用提拉法生长了掺杂浓度分别为4、8与10at%的Tm：YAP晶体．测定了Tm^3＋在YAP基质中的分凝系数为0．88．采用同步辐射的方法研究了Tm：YAP晶......
分别采用金相、差热分析、枝晶干/枝晶间取点和随机点阵等方法,对一种含Ru镍基单晶高温合金的凝固偏析进行了表征。结果表明:通过......
