耿氏二极管相关论文
太赫兹（THz）辐射的频率处于微波频率和红外频率之间,从20世纪20年代起,科学界就对太赫兹频率产生了极大的兴趣,但太赫兹频率范围仍然......
摘要：空空导弹中的高频电子组件主要用于雷达导引头或引信，其产生高频探测信号并通过发送探测信号来获取目标信息。本文主要针对某型......
<正> 毫米波传感器技术正日趋成熟。本文不打算全面地阐述当今的军事用途,显然,这类军事用途是大量的、很重要的,且技术水平相当先......
发展毫米波集成电路技术具有十分重要的意义。采用集成电路的系统可以降低成本、缩小体积、增强可靠性。这在一次性大批量使用的......
简要介绍了连续太赫兹波成像系统。该系统采用耿氏二极管作发射器，无偏置肖特基二极管作探测器，具有小型、简单和便携的特点。利用此......
常规半导体微波功率器件已经发展到其性能极限，为了满足无线通信的未来需要，宽禁带半导体GaN和SiC成为研究的热点。GaN基耿氏二极管......
介绍了微波集成高频头的组成、工作原理和用途.给出了几种典型的集成耿氏二权管振荡器的设计和计算方法,以及本微波集成高频头的实......
GaN材料为第三代宽禁带半导体材料的代表,具有强大的抗辐照能力、高电子饱和速度、耐高温、高电子输运密度和高功率密度等优点。由......
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT......
近年来，随着III-V族氮化物半导体生长技术的进步，基于III-V族氮化物半导体的器件表现出越来越优异的性能，并逐渐开始进入应用领域，相应......
本文从GaN基大栅宽HEMT器件的生产制造和GaN基耿氏二极管的结构设计和关键工艺等方面进行了详细的研究。一方面对GaN/AlGaN异质结......
由于In N材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......
介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜（SEM）检查等失效分析手......
太赫兹技术是近年来迅速发展的一个新兴交叉学科,涉及物理学、材料科学、生物、医学等多门科学,其波段覆盖0.1THz-10THz频率范围,......
近年来，由于一些新技术与新材料的研究和发展，太赫兹技术得以迅速发展，而太赫兹波辐射源的研究也在相应的领域内被重视起来，并掀起了一......
太赫兹技术广阔的应用前景激发了世界各国科研人员对太赫兹波振荡辐射源和探测器的开发研究。耿氏二极管被认为是极具太赫兹应用潜......
随着社会的不断发展，人们对于高频、大功率固态器件的需求也不断增加。但是由于第一代半导体和第二代半导体材料本身的限制，已经越来......
毫米波振荡源是毫米波系统的核心,是雷达、通信、电子对抗等毫米波系统的关键部件之一。本课题采用耿氏二极管(Gunn)作为负阻器件,......
<正> 近年来,随着微波、准微波移动通信等通信系统需求的迅速扩大,微波频率拥挤、频率资源的不足已成为不争的事实。因此,为了适应......
由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......
