为提高1342 nm分布反馈（Distributed Feedback, DFB）半导体激光器的输出功率，设计了三种腔面膜膜系组合。采用电子束蒸发镀膜技术对该......

1.3 μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提......

用电子束反应蒸发法制备了的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ－Ｓｉ：Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ－Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０＾３ｃｍ＾－１降低到可以忽略的程度，ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的光学带......

通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究,分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率,采用TiO2替换Si作为高折......

利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀SiO2膜,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验,结果表明镀膜后器件的特性得......

大功率半导体激光器具有光输出功率大、波长范围广、供电方式简单、电光转换效率高、芯片尺寸小且稳定性高等突出优势,使得其广泛......

长波长InGaAs材料的应变量子阱激光器多年来在国际上受到广泛重视，但是由于应变材料受到临界厚度的影响，激射波长一直以来都难以突破......