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射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜
在低温HVPE-GaN/c-Al2O3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydridevapoarphaseepitaxy)法外延生长了高质量的......
期刊
GaN
HVPE
ZnO
厚膜
自支撑衬底
缓冲层
横向生长
氢化物气相外延
射频溅射
穿透位错密度
GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究
能用于器件制备的优质GaN极性及非极性衬底是解决目前GaN基光电器件发展瓶颈的主要途径,而氢化物气相外延法(HVPE)是目前实现GaN同......
学位
氢化物气相外延法
GaN厚膜
自支撑衬底
应力缺陷
激光剥离
非极性
有限元方法
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