带电激子相关论文
由于半导体量子阱线中激子和复杂激子的特性在光学器件中有着重要的作用。所以对低维半导体结构（量子阱、量子阱线，量子点等）在过去几......
对二维材料基本物理特性和应用探索的研究已经成为当前物理学、化学、生物学等学科最为活跃和最受关注的领域之一。具有带隙的过渡......
过渡金属硫化物二维材料（Transition metal dichalcogenides,TMDs,如Mo S2,WS2等）因其新奇的物理化学特性,如显著的量子限制效应、室......
首先,我们计算了有限深GaAs-AlGaAs量子阱中激子的束缚能,其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配......
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2-5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(m......
报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温至室温(1.4-296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺......
本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明,其发光谱只显示了一个线性偏振度较低......
采用化学气相沉积法在氧化硅衬底上合成大面积、高质量的单层MoS2二维材料,系统表征了材料的光学特性,并制备出高性能的n型场效应......
为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150......
二维过渡金属硫族化合物半导体(TMDs)是继石墨烯发现之后又一明星材料,受到广大研究者的持续关注。TMDs的带隙大小受层数调控且单......
带电激子就是带有额外正电或负电荷的电子空穴对,其光谱特性与中性激子和多激子等有较大差异,因而对光电材料的稳定性、效率等均有......
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