AIN薄膜相关论文
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄......
期刊
在电弧离子镀弧靶上加挡板,分别在挡板屏蔽区内、外用Si(100)和玻璃片作基片沉积出AlN薄膜.用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD),X射......
研究了衬底温度从-20～20℃下射频磁控溅射A1N薄膜的择优取向程度.利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)......
采用高真空射频磁控溅射技术,在玻璃基片上,分别于不同沉积条件下制备了AIN系列薄膜,测量了从紫外到近红外波段AIN系列薄膜的透射......
反应磁控溅射制备AIN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关.靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的......
常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出（002）单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜，通过XRD分析发现溅射功率为80w、溅射气......
利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明，AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜，击穿电压高......
氮化铝(AIN)是一种性能优良的宽能隙直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合......
体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性，随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究，而MEMS技术和压电薄膜......
射频滤波器具有广阔的市场，已经成为当今无线通信领域内研究的热点之一。无线通信的发展促使更多的功能模块小型化，集成化。传统的介......
以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,......
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后......
期刊
