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分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到......
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分子束外延生长
SIGE合金
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边界效应
位错密度
掩膜
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衬底晶格
薄膜分析
SiGe alloy strain relaxation edge
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