在高频、大功率、高温、高压等领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反......

随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高频及大功率应用方面已显示出了得天独厚的优势,在通信、雷达、电子战以及航空航天、核......

近年来，利用单质子转移反应提取核的质子谱因子，已经广泛应用于质子辐射俘获反应的研究之中。该方法通过测量截面较大的单质子转移反......

用固定能量（100kev）不同注量（1×10^11-3×10^12cm^-2）或固定注量（3×10^12cm^-2）不同能量（50-170keV）的质子，照射GaAs／Ge太阳电......

对GaAs／Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV，辐射的剂量为1×10^9～3×10^12cm^-2。研究结果表明，GaAs／Ge......

近期，NASA约翰逊航天中心在劳伦斯伯克利国家实验室的一个研究团队发现质子辐射可能治疗肿瘤。此项研究可帮助科研人员找到更好的方......

飞速发展的航天技术需要兼具高可靠性和高性能的集成电路。纳米CMOS集成电路在带来高性能的同时,也带来了可靠性方面的挑战。质子......

在放射治疗学上，质子束是具有高LET的辐射射线。利用质子束进行放射治疗，能精确的将Bragg峰对准病变的部位使肿瘤区域受到更多的照射......

为探索质子辐射玉米M_1代的生物诱变效应,以5种不同剂量质子辐射诱变玉米种子,分别统计发芽率、成苗率、空秆率,并测定株高、穗位......