质子辐射相关论文
在高频、大功率、高温、高压等领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反......
基于铁电材料极化模拟的相场模型,结合半导体器件方程建立了金属-铁电-绝缘层-半导体结构铁电场效应晶体管(FeFET)性能研究的理论......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高频及大功率应用方面已显示出了得天独厚的优势,在通信、雷达、电子战以及航空航天、核......
学位
采用密度泛函理论研究了氢掺杂单层石墨(graphene)体系,并采用密度泛函微扰理论方法计算了体系局域振动模(LVMs)。结果显示,高频位......
目的：模拟空间质子辐射剂量条件下，研究质子辐射对粘质沙雷氏菌灵菌红素产量的影响，为该菌种作为生物剂量计的研究奠定基础。方法：利用......
针对以SiO2及以Al2O3、Si3N4为埋层的SOI结构,利用SRIM软件进行了重粒子和质子辐射的模拟.在分析不同入射角度及能量对各种辐射损......
对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线......
本文主要对国产InGaP/GaAs/Ge三结太阳电池进行空间质子辐射效应研究。质子能量选择为0.04，0.1，0.32，1和3 MeV，注量范围为3×109～1×101......
近年来，利用单质子转移反应提取核的质子谱因子，已经广泛应用于质子辐射俘获反应的研究之中。该方法通过测量截面较大的单质子转移反......
In order to understand the molecules mechanism of ion irradiation,which has been widely used in many fields such as canc......
ISS建造需要1000多小时的EVA。在ISS外部进行出舱活动，航天员可能会很大程度地暴露在电子和质子辐射的作用中。图1和2包含了典型的I......
用固定能量（100kev）不同注量（1×10^11-3×10^12cm^-2）或固定注量（3×10^12cm^-2）不同能量（50-170keV）的质子，照射GaAs／Ge太阳电......
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy（Si）/s剂量率60......
研究了高能电子、高能质子辐照对红外熔石英性质、光学面形的影响。研究了高能电子对红外熔石英面形的影响 ,结果表明 ,没有明显的......
对GaAs／Ge太阳电池进行了质子辐射实验。质子辐射的能量为70～170keV，辐射的剂量为1×10^9～3×10^12cm^-2。研究结果表明，GaAs／Ge......
为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征，利用蒙特卡罗（MC）计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离......
近期，NASA约翰逊航天中心在劳伦斯伯克利国家实验室的一个研究团队发现质子辐射可能治疗肿瘤。此项研究可帮助科研人员找到更好的方......
飞速发展的航天技术需要兼具高可靠性和高性能的集成电路。纳米CMOS集成电路在带来高性能的同时,也带来了可靠性方面的挑战。质子......
新兴的二维石墨烯材料因其优异的导电、导热性、力学性能等,是目前各领域研究的热点。本工作利用地面模拟设备研究了PET基底上氧化......
质子辐射治癌的主要装置是一台小型质子同步加速器及其注入器。小型质子同步加速器的能量在70～250MeV 范围内,相当于在体内质子束的......
统计分析了太阳质子事件与微波爆发和软Ｘ射线（ＳＸＲ）耀斑间的关系。结果表明：质子事件的峰值流量与微波爆发和ＳＸＲ耀斑的峰值流量，能通量间呈正的......
在放射治疗学上，质子束是具有高LET的辐射射线。利用质子束进行放射治疗，能精确的将Bragg峰对准病变的部位使肿瘤区域受到更多的照射......
为探索质子辐射玉米M_1代的生物诱变效应,以5种不同剂量质子辐射诱变玉米种子,分别统计发芽率、成苗率、空秆率,并测定株高、穗位......
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