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从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
碳化硅(Si C)是发展高功率、高温和高频器件极具吸引力的宽禁带半导体材料,近年来引起了越来越多的关注。Si C基绝缘栅双极晶体管(......
根据实验数据给出了双向晶闸管的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析，认为用铬－镍－银阻挡层烧结新的工艺可大 向晶闸管的双向通......
从温度对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT（PT-IGBT）,非穿通型-IGBT（NPT-IGBT）和场阻止-IGBT（FS-IG......
在简单介绍P-I-N二极管的基础上，针对碳化硅材料，以P-I-N二极管为研究对象，以MATLAB为模拟分析工具，研究了4H-SiCP-I-N二极管正向导通......
