关断过程相关论文
电力电子功率器件已广泛用于制造业、能源、国防等重要领域，是各类高品质、高精尖电源产品的核心器件，也是实现电能变换的基石与重要......
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了......
IGBT有源电压控制技术(Active Voltage Control,简称AVC),是在IGBT控制过程中引入多重闭环反馈,使IGBT开通和关断过程中集电极发射......
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
This pap......
相比于传统智能功率模块,单片智能功率芯片具有更低损耗、更小体积及更丰富的控制与保护功能,广泛应用于各类电机驱动和电源应用中......
基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,......
通过测试电路与数字滤波技术,探究了一种电力电子器件关断机械应力波的测量方法;通过信号处理与频谱分析得到了机械应力波的时域和......
为了使功率器件经常使用的RDC缓冲电路所用元件的选择摆脱经验与实验的传统方法，在理想条件下从能量与电压的角度用数学方法分析了R......
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很......
提出一种独特的IGCT换流等效电路,建立相应的数学模型,并借助Mathematic软件对该模型进行求解;分析了主要参量与换流时间的关系,在......
分析了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在，同时验证了在高温下，再导通ＧＴＯ的阻断电压......
<正> 一、关断过程的形成与特点凡利用硅单晶材料制成的可控硅,除固有的一般单向导电性能外,还具有一种特有的“反电流效应”,即所......
新型大功率半导体器件集成门极换流晶闸管IGCT具有极短的关断时间和较低的通态损耗,是固态断路器中半导体器件的理想选择.本文详细......
