金铝键合相关论文
金-铝（Au-Al）两种金属在焊接界面上产生不对称扩散，导致焊缝空洞形成与生长，最终形成脱键，是引线键合工艺中备受关注的失效模式之一。本......
介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成......
金铝键合是单片集成电路、微波T/R组件中实现硅芯片与基板互连的最主要手段。它是一种异质键合工艺,不可避免地会在键合界面生成金......
由于金属间化合物的生成,会使金铝键合的接触电性能受到影响。从金属间化合物生成这一单一失效机理出发,以失效物理为理论基础,通......
金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,......
采用高温存储（HTS）试验、高温高湿存储试验（UHAST）、高温高湿加电（THB）试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力......
期刊
陶瓷表面贴装器件绝大部分均采用金作为表面涂覆层,而芯片表面绝大部分均采用铝材料作电极,因此无论采用金丝或铝丝进行键合均不可......
近年来,关于电子元器件的失效分析技术对于产品的生产和使用具有越来越重要的意义.作为模拟IC设计、生产单位,通过试验验证和分析......
由于金属间化合物的生成,会使金铝键合的接触电性能受到影响．本文主要从金属间化合物生成这一单一失效机理出发,以失效物理为理论基......
