钼硅化物相关论文
真空微电子器件具有电子传输速率高、功耗低、发射电流密度大、无需加热等优点,场发射阴极作为真空微电子器件的核心部分,其性能的......
最近日本大阪大学的研究人员发现钼硅化物在1200℃附近，铌硅化物在1600℃附近强度增强的异常现象，若把两相组合可制成性能更优异的金......
离子束混合(IM)形成铝硅化物的过程中,相的生成及相结构的转变与注入及后退火过程中外界给系统所提供的激活能有关。衬底加温IM时,......
综述了合金化和热处理对硅化物基合金组织和性能的影响。在铌硅化物基合金中添加Mo，W或Al后，电弧熔炼态组织中的硅化物相为βNb5Si3；......
用X射线衍射和透射电子显微镜研究了Mo33Si66混合粉在机械合金化以及热处理过程中的结构演变,并讨论机械合金化过程中的相形成机理......
采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法，成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列，并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和......
