场发射特性相关论文
用水热法以醋酸锌和氨水为原料制备花状氧化锌薄膜.SEM显示样品为带花蕾的多瓣型形貌,XRD测试样品为高纯度的六角纤锌矿结构.研究......
由于阴极材料在场发射显示屏的发展和应用中占据重要地位,使得阴极材料的场发射特性研究变得十分重要,对阴极材料的探索研究也成为......
一维纳米材料具有许多独特的性能，成为制备场发射冷阴极的热门材料，从而获得了国内外大量研究人员的重视和关注。水热法制备ZnO纳米......
真空微电子器件具有电子传输速率高、功耗低、发射电流密度大、无需加热等优点,场发射阴极作为真空微电子器件的核心部分,其性能的......
ZnO作为一种宽带隙半导体材料，具有优异的光电性能、高热稳定性、纳米结构丰富以及制备方法多样等特点，是一种优秀的场发射阴极材料......
氧化锌(ZnO)纳米材料具有禁带宽(3.37eV)，光电性质良好，化学稳定性高，在高场强下，能带易弯曲等优点，被认为是最有前途的场发射阴极材料......
柔性技术和柔性电子发展空前，应用广泛。柔性冷阴极作为柔性电子器件的核心部件极具研究价值和应用基础。氧化锌纳米材料作为宽禁带......
SiC低维纳米材料是场发射阴极材料的优异候选者,其重要关键和基础之一是实现SiC纳米阵列的可控制备。近年来,有关SiC低维纳米材料......
近年来，因在光、电、磁及机械力学等领域具有极大的应用前景，宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的兴趣，成为低维纳米材......
GaN(Gallium nitride)基材料是指元素周期表中Ⅲ-A族Al、Ga、 In元素与Ⅴ-A族N元素形成的一类化合物，是直接带隙半导体材料，在室温下......
AlN 薄膜具有很多优异的特性。由于其化学稳定性高、热传导率高、机械强度高、电绝缘性能佳、高能隙、热膨胀系数低，所以可用于大功......
GaN是一种直接宽带隙（禁带宽度是3.4eV）半导体材料，其具有化学和物理稳定性好，电子饱和漂移速率高，临界雪崩击穿电场强度大，介电常数小等......
本文首先运用标量波理论建立了谐振腔增强型的多层膜的GaAs同质结远红外探测器的量子效率的理论模型。通过这一模型，讨论了谐振与非......
新型准一维纳米材料具有优异的场发射特性，在场发射显示器(FED)，微波器件和传感器等真空微电子器件中有重要的应用前景。本论文主要......
作为宽带隙半导体材料,ZnO具有良好的化学稳定性和热稳定性,其优异的发光特性、场发射特性近年来得到了广泛重视。最近纳米氧化锌......
冷阴极在真空电子器件中有重要应用。寻找低阈值发射电场和高发射电流密度的场发射材料是制作冷阴极的技术关键。新型冷阴极电子发......
碳纳米材料因其众多的同素异形体结构以及独特的物理化学性质成为纳米科学最活跃的研究领域之一,在计算机技术、环保、能源、航空......
硅作为现代半导体行业最重要的材料，其纳米结构在微电子学、光电技术、能源转换和储存、生化传感器等方面有着广泛应用。硅纳米线作......
TiO2纳米棒具有较低的功函数（4.5eV）、锐的尖端、大的长径比、良好的电子传输通道等特征，是一种理想的一维场发射体。但由于制备适合......
基于表面传导电子发射源制备技术制备了一种平面底栅型真空场发射三极管(VFET),器件在真空中实现了良好的栅控特性和场发射特性,并......
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3～9 nm,厚度为30～40 nm的纳米硅薄膜,并同时......
采用胶带粘贴、金相砂纸摩擦、射频氢等离子体工艺对钛基纳米金刚石涂层进行了处理,分析了它们对样品的微观表征、场发射性能、发......
电泳法是制作碳纳米管冷阴极的重要方法。电泳电压是电泳过程中的重要参数，不同电压会影响阴极沉积的厚度和效率、形貌结构及场发射......
研究了纳米石墨晶的场发射特性.介绍了纳米石墨晶薄膜的制备方法,通过扫描电镜和Raman光谱对纳米石墨晶的结构进行了分析.场发射特......
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h......
采用射频磁控溅射方法，在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（20～150nm）纤锌矿结构的纳米A1N薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场......
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统，在n型Si（100）基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜，利用红外光谱（FTIR）对BN薄膜进行了表征。通过......
以醋酸锌和氨水为原料,采用直接水热法制备锥形纳米ZnO。借助于XRD、SEM等测试手段,对锥状纳米ZnO薄膜的制备条件、场发射特性和稳......
通过控制电泳沉积(EPD)时间,在硅基片上沉积不同密度的金刚石籽晶.再用热丝化学气相沉积(HFCVD)设备,在硅基籽晶上合成多晶金刚石......
冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(......
利用射频磁控溅射方法,在金刚石膜上沉积了氮化硼薄膜。红外光谱分析表明,氮化硼薄膜的结构为六角氮化硼。在超高真空系统中测量了......
采用电泳法分别制备了铪和钛掺杂纳米金刚石的场发射阴极涂层,利用扫描电子显微镜和场发射测试仪分别对样品的微观形貌和场发射特......
考虑碳纳米管的尺寸。特别是碳纳米管的半径对表面电荷分布的影响，我们采用固定碳纳米管长度，半径在一定范围内连续性取值。通过数值......
研制了一台集低能电子点源显微镜和场发射显微镜于一体的设备。研制的过程中，解决了包括超高真空的获得，外界振动的隔离，爬行器及其控......
利用纳米银的低温熔接性和良好导电性，研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺．将CNTs、纳米银......
研究了用涂敷法制备的碳纳米管(CNT)厚膜及其场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,经烧结后......
实验提出以多壁碳纳米管（MWCNT）/ZnO纳米线复合材料作为场发射阴极薄膜,研究其图形化制备工艺以及其场发射特性。用丝网印刷工艺制备......
对涂敷有不同浓度催化剂的硅基生长出的碳纳米管薄膜的生长状况和特性进行了研究,并且获得了催化剂的优化浓度.在基底上涂敷氢氧化......
本文研究CF4等离子体处理对氧化锌纳米线的电学特性和场发射特性的影响。X射线光电子能谱（XPS）结果显示处理后样品实现了F掺杂。利用......
采用溶胶-凝胶法制备了碳纳米管／二氧化硅复合材料，并对复合材料的场发射特性进行了研究，结果表明：复合材料有很好的场发射特性，含有10％（......
利用水热法制备了菊花状的氧化锌纳米棒,并进行表征,将纳米氧化锌掺入纳米金刚石中配制成电泳液,超声分散后电泳沉积到钛衬底上,再......
碳纳米管（CNTs）具有低的阈值电场和高的发射电流密度，是一种性能优良的冷阴极材料，在平面显示领域具有潜在的应用价值。根据显示器件的......
21世纪，全球进入了信息化时代，平板显示器成为信息化社会的关键性器件之一，成为国内外科技工作者的研究焦点。其中，FED（Field Emission ......
碳纳米管作为冷阴极场致电子发射材料的应用还有很多问题需要解决，如发射点密度及发射点均匀性、场发射的稳定性、碳纳米管的场发射......
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉......
氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关......
