真空微电子器件相关论文
本文介绍了纳米材料的种类及其在扫描微探针、异质结、FED、负离子发生器、自持放电型气体传感器以及微机械执行器等方面的应用.......
介绍了真空微电子器件场发射阴极硅阵列的制备。采用半导体集成电路工艺，对硅片进行加工，成功地制备出大面积的场发射阵列；通过对阵列......
本文在这里首次公布在扫描电子显微镜SEM中应用我们研制成功的能透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路IC及真空微电子器件VMD被......
本文首次分布应用我们研究成功的在SEM中能无损分层透视内窥检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新检测法(简称分层法)和新检......
高频率、大功率、小体积是现代真空微电子器件的发展趋势，返波管是最有潜力实现小型化的THz源之一。THz返波管高频系统的研究是为了......
介绍了一维纳米材料的种类及其在扫描微探针、异质结、FED、负离子发生器、自持放电型气体传感器以及微机械执行器等方面的应用。......
作者利用电弧法、热分解法和CVD法制备出材料样品,在碳纳米管红外吸收特性方面取得了初步研究成果,同时介绍了碳纳米管在真空电子......
本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总......
本论文主要研究了平面超薄类金刚石薄膜(diamondlikecarbon，DLC)、顶端定位沉积有DLC薄膜的硅微尖锥(简称为DLC尖端)阵列、单根碳纳......
在过去的几十年中,世界各国投入大量资金竞相发展固态器件,尽管它在低频范围内取代了部分中小功率微波电子管,但多年的研究进展表......
真空微电子器件因具有耐高温、响应快、功率大、适合大规模生产、集成化等优点,在军事和民用工业中发挥了重要的作用,其核心是场发......
阴极是真空微电子器件的核心部件之一。向小型化发展真空微电子器件对阴极提出越来越高的要求，例如微型化、响应快、长寿命等等。对......
本文概述了真空微电子学的研究领域、基本特点、冷阴极发射源、真空微电子器件与电路、真空微电子学的应用前景及发展趋势。......
本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。......
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技......
概述了真空微电子传感器的现状,重点介绍了力敏、光敏、磁敏真空微电子传感器的工作原理及特点。更多还原......
通过在金刚石薄膜表面沉积超薄金属薄膜作为栅极的方法,在10V左右的低压下观察到场发射现象,其发射电子的发散角度为10°左右,......
本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析。通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空......
本文对结构相同的覆四种不同金属层的ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境下工作的真空微......
本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什......
本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.......
介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件--微波功率模块(MPM),以及将微电子工艺应用于传统真空电子器件而出现的真空微电子......
低电压下工作的场发射真空电子器件，要求尖锐的发射极锥尖和较小的发射极与阳极间距，因此要求首先制作出很小的门极孔径。采用接触曝......
本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺，采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术，制成了形状较好的硅尖，并对实验研究......
本文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结果。...
本文介绍了一种亚微米门极孔径真空微电子器件工艺和初步实验测试结果。...
本文介绍了真空微电子器件场发射金属尖陈列阴极的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺（反向）和浓硼腐蚀自停止工艺制备成功金属......
解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题，可以扩大场臻发射器的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列发射稳定性的几......
本文采用ＳｉＯ２作锥尖的塑模，再利用塑模制备出场发射金属尖阴极阵列，并给出ＳＥＭ金属尖照片，分析了工艺因素对金属尖的影响，同时提出了真空微电子......
对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形......
具有聚集能力的双栅极场发射阵列（ＤＧＦＥＡ）是两类最有发展前途的真空微电子器件（高分辨率场发射显示器和真空微电子微波，毫米波器件）的关键技术......
本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构，在现有的条件下进......
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器......
本文报导了一种新型金刚石场发射阵列冷阴极的制造方法和电子发射性能，通过数据分析得到了这种金刚石发射体的有效表面功函数和总有......
本文提出并研究了新型的“台阶阴极”和“曲面阴极”真空微电子压力传感器．与普通的真空微电子压力传感器相比，新型传感器的阴极发射......
本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。...
研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用......
作者设计了一种新颖的单栅和双栅跑道状场发射结构，该结构可提供好的阵列均匀性和场发射电流密度。双栅机构可提供小的开启电压。实......
<正> 中国科学院电子学研究所创建于1956年,是电子与信息科学技术的综合型研究所。经过40多年,特别是改革开放以来的发展,业已形成......
近年来,半导体硒化物纳米材料由于它自身独特的物理和化学性质,使得它已经成为太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管等领域的研究......
<正>1995年美国材料研究学会(MRS)秋季会议于11月27日至12月1日在波士顿召开。本次会议规模庞大,有35个分组报告会,很多报告讨论热......
本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；依此模型对Ｓｐｉｎｄｔ阴极的计算结果与实验符合很好......
